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IRF9333PBF - 

IRF9333PBF P-channel MOSFET Transistor, 9.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC

International Rectifier IRF9333PBF
聲明：圖片僅供參考，請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)！
制造商產(chǎn)品編號(hào)：
IRF9333PBF
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：
70019296
技術(shù)數(shù)據(jù)表：
View IRF9333PBF Datasheet Datasheet
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IRF9333PBF產(chǎn)品概述

P-Channel Power MOSFET over 8A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRF9333PBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  1110 pF @ -25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  P  
  Configuration  Quad Drain, Triple Source  
  Current, Drain  -9.2 A  
  Dimensions  5.00 x 4.00 x 1.50 mm  
  Height  0.059" (1.5mm)  
  Length  0.196" (5mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  8  
  Package Type  SO-8  
  Power Dissipation  2.5 W  
  Resistance, Drain to Source On  32.5 mΩ  
  Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
  Time, Turn-Off Delay  55 ns  
  Time, Turn-On Delay  16 ns  
  Transconductance, Forward  13 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  14 nC @ -4.5 V, 25 nC @ -10 V  
  Voltage, Drain to Source  -30 V  
  Voltage, Forward, Diode  -1.2 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.157" (4mm)  
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Drain, Triple Source   Current, Drain -9.2 A  International Rectifier Current, Drain -9.2 A  MOSFET Transistors Current, Drain -9.2 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain -9.2 A   Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm   Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier Height 0.059" (1.5mm)  MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)   Length 0.196" (5mm)  International Rectifier Length 0.196" (5mm)  MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 8  International Rectifier Number of Pins 8  MOSFET Transistors Number of Pins 8  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 8   Package Type SO-8  International Rectifier Package Type SO-8  MOSFET Transistors Package Type SO-8  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type SO-8   Power Dissipation 2.5 W  International Rectifier Power Dissipation 2.5 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 2.5 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 2.5 W   Resistance, Drain to Source On 32.5 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 32.5 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 32.5 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 32.5 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C   Time, Turn-Off Delay 55 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 55 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 55 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 55 ns   Time, Turn-On Delay 16 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 16 ns  MOSFET 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V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode -1.2 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.157" (4mm)  International Rectifier Width 0.157" (4mm)  MOSFET Transistors Width 0.157" (4mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.157" (4mm)  
電話:400-900-3095
QQ:800152669
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